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職位描述：
職責描述：
1、 負責氮化鎵微波器件的設計與開發，協作開發滿足產品需求的外延結構；
2、 設計器件結構并通過理論計算或計算機模擬對新結構進行可行性論證；
3、 針對產品技術指標要求，進行器件版圖設計和繪制；
4、 針對下一代產品要求或項目需求，開發新型器件結構；
5、 能夠熟練應用半導體物理知識，分析和解決器件技術問題；
6、 制定并實施器件pcm測試和終測方案；
7、 撰寫相關技術專利。
任職要求：
1、 3-5年射頻功率放大器設計經驗；
2、 熟悉doherty電路的基本原理，調試方法以及和基站dpd系統的配合調試經驗；
3、 具有gaas或gan器件流片經驗；
4、 具有pa模塊的設計、調試以及量產測試經驗；
5、 熟練使用ads、awr或者hfss進行電路em仿真；
6、 有通信大客戶功放設計支持經驗，在ldmos或gan氮化鎵原廠有工作經驗者優先；
7、 思維敏捷，分析判斷能力強，具有解決復雜問題的能力，很強的計劃性和執行能力。
8、 具有良好的溝通協調能力、獨立工作能力，能承受一定的工作壓力。