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主要職責：
1、負責把控碳化硅晶體生長工藝，優化工藝參數，保證長晶設備的正常操作運行；
2、負責測試及分析樣品的基本物理特性，通過調節工藝參數、優化晶體物理性質；
3、負責長晶過程控制和失效分析，完成設備故障處理及標準化操作流程；
4、負責并完成公司的研發項目，參與客戶及商業合作伙伴的合作與溝通；
5、負責開發新工藝、新技術，并進行長晶團隊的搭建和人才培養。
任職要求：
1、具備電子、物理、材料或半導體等相關專業碩士及以上學歷；
2、擁有資深的第三代半導體碳化硅SIC晶體生長經驗，對碳化硅SIC晶體的生長工藝、外延、器件物理、材料特性表征及DOE (Design of Experiment)方面具有較深厚的知識儲備；
3、有半導體制造行業及潔凈室經驗，具備新材料及新產品的開發、轉化生產等能力；
4、工作責任心強，具領導潛質，具有良好的組織領導能力，對外能勝任與客戶及商業合作伙伴的溝通與協調；
5、有真空、CVD (Chemical Vapor Deposition)鍍膜工藝基本知識，具備氮化鎵外延工藝及設備的調試實習者優先。