北京
應屆畢業生
學歷不限
2025-06-11 14:59:58
1824人關注
職位描述
該職位還未進行加V認證，請仔細了解后再進行投遞！
1. 負責VR LTPO新技術項目開發，完成技術可行性評估、工藝路線制定及產品不良改善等；
2. 負責TFT相關疑難及突發異常攻克、穩定性提升、特性優化及評價系統的建立；
3. 負責LTPS/Oxide小尺寸or窄溝道器件的工藝開發及理論研究工作；
4. 對團隊成員相關TFT器件方向專業問題進行澄清并提供改善方向，加強團隊共同認知；
5. TFT器件專業人才培養及指導；
教育程度:碩士
工作經歷:
8年以上
a）具備LTPO器件開發經驗，包括但不限于Oxide小尺寸or窄溝道器件開發，DIBL效應和SCE效應研究，高遷氧化物及光穩材料開發等；
b）具備LTPO器件特性改善經驗，包括但不限于Vth均一性，Mobility及Ion提升，△L改善等；
c）掌握LTPO器件穩定性改善方法，具備TFT 器件擊穿能力（High Voltage Breakdown Characteristic），偏壓穩定性（VoltageStress stability: PBTS/NBTS/HJS/HDCS），光照穩定性（Lightstability: NBTIS/PBTIS），溫度穩定性（Temperature sensitivity）等相關改善經驗；
d）能夠搭建TFT特性優化及評價系統。理解LTPO器件結構及工藝需求，熟悉薄膜評價手段及方法，掌握膜層缺陷改善及界面改善方法；熟悉Etch工藝，掌握Etch Profile or Taper及Bias改善方法；掌握離子注入以及退火等相關工藝極其對特性的影響，并能夠整合以上工藝進行器件特性改善。
e）掌握TCAD 軟件，能夠通過TCAD 建模來進行標準工藝下材料水平的器件結構，輔助進行工藝調試優化；
2. 負責TFT相關疑難及突發異常攻克、穩定性提升、特性優化及評價系統的建立；
3. 負責LTPS/Oxide小尺寸or窄溝道器件的工藝開發及理論研究工作；
4. 對團隊成員相關TFT器件方向專業問題進行澄清并提供改善方向，加強團隊共同認知；
5. TFT器件專業人才培養及指導；
教育程度:碩士
工作經歷:
8年以上
a）具備LTPO器件開發經驗，包括但不限于Oxide小尺寸or窄溝道器件開發，DIBL效應和SCE效應研究，高遷氧化物及光穩材料開發等；
b）具備LTPO器件特性改善經驗，包括但不限于Vth均一性，Mobility及Ion提升，△L改善等；
c）掌握LTPO器件穩定性改善方法，具備TFT 器件擊穿能力（High Voltage Breakdown Characteristic），偏壓穩定性（VoltageStress stability: PBTS/NBTS/HJS/HDCS），光照穩定性（Lightstability: NBTIS/PBTIS），溫度穩定性（Temperature sensitivity）等相關改善經驗；
d）能夠搭建TFT特性優化及評價系統。理解LTPO器件結構及工藝需求，熟悉薄膜評價手段及方法，掌握膜層缺陷改善及界面改善方法；熟悉Etch工藝，掌握Etch Profile or Taper及Bias改善方法；掌握離子注入以及退火等相關工藝極其對特性的影響，并能夠整合以上工藝進行器件特性改善。
e）掌握TCAD 軟件，能夠通過TCAD 建模來進行標準工藝下材料水平的器件結構，輔助進行工藝調試優化；
注：聯系我時，請說是在安徽人才網上看到的。
工作地點
地址：北京大興區北京市亦莊經濟開發區西環中路12號 核心能力大樓
求職提示：用人單位發布虛假招聘信息，或以任何名義向求職者收取財物（如體檢費、置裝費、押金、服裝費、培訓費、身份證、畢業證等），均涉嫌違法，請求職者務必提高警惕。
